L'arséniure de gallium (\ce{GaAs}) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,42 eV (soit environ 873 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
L'arséniure de gallium absorbe le rayonnement visible du soleil et a un gap entre sa bande de valence et sa bande de conduction situé dans le bon intervalle.
Il peut donc être utilisé pour produire des capteurs photovoltaïques.
Ce matériau peut être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque car il absorbe le rayonnement solaire visible avec un gap compris entre 1,0 et 1,7 eV.
Le silicium (\ce{Si} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,12 eV (soit environ 1 100 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le silicium absorbe le rayonnement visible du soleil et a un gap entre sa bande de valence et sa bande de conduction situé dans le bon intervalle.
Il peut donc être utilisé pour produire des capteurs photovoltaïques.
Ce matériau peut être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque car il absorbe le rayonnement solaire visible avec un gap compris entre 1,0 et 1,7 eV.
Le sulfure de cadmium (\ce{CdS} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 2,42 eV (soit environ 510 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le sulfure de cadmium possède un gap entre sa bande de valence et sa bande de conduction trop important pour être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque. En effet, cette espèce n'absorbe qu'une partie du rayonnement solaire visible que qui la rend peu propice à cette utilisation.
Il n'est donc pas utilisé pour produire des capteurs photovoltaïques.
Ce matériau n'est pas utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque car son gap est \gt 1{,}7\text{ eV}.
Le tellurure de cadmium (\ce{CdTe} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,5 eV (soit environ 823 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le tellurure de cadmium absorbe le rayonnement visible du soleil et a un gap entre sa bande de valence et sa bande de conduction situé dans le bon intervalle.
Il peut donc être utilisé pour produire des capteurs photovoltaïques.
Ce matériau peut être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque car il absorbe le rayonnement solaire visible avec un gap compris entre 1,0 et 1,7 eV.
Le phosphure d'indium (\ce{InP} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,35 eV (soit environ 915 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le phosphure d'indium absorbe le rayonnement visible du soleil et a un gap entre sa bande de valence et sa bande de conduction situé dans le bon intervalle.
Il peut donc être utilisé pour produire des capteurs photovoltaïques.
Ce matériau peut être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque car il absorbe le rayonnement solaire visible avec un gap compris entre 1,0 et 1,7 eV.